一、設計背景圖

       測試半導芯片建筑用料的霍爾邊際相互作用是定性探討和探討半導芯片建筑用料的極為重要科技手段。我們的可不不錯據霍爾指數公式的點符號來理解半導芯片建筑用料的導電類形，是N型都是P型；霍爾邊際相互作用從普遍性上講是中長跑的通電的顆粒束在靜電場中受洛侖茲之作用而激發的偏轉。當通電的顆粒束（自動化或空穴）被進行約束在膏狀建筑用料中，本身偏轉就誘發在徑直于電壓和靜電場的方往右制造 -正電荷的聚積，因此達成擴展的橫排靜電場。據霍爾指數公式還有與工作高溫的關聯可不不錯計算方法載流子的鹽酸度，以其載流子鹽酸度同工作高溫的關聯，從可不不錯判別好建筑用料的禁下行帶寬度和鈣鎂離子電離能；經過霍爾指數公式和電容率的共同量測才能判別好載流子的知識率，用微分霍爾邊際相互作用法可測側向載流子鹽酸度分布圖制作；量測超低溫霍爾邊際相互作用可不不錯判別好鈣鎂離子賠償標準度。

       與其余測式不一樣的是霍爾性能值測式中測式點多、進行連接冗雜，求算量大，需另加溫濕度和電交變電場氛圍等亮點，在這個先決條件下，人工機械測式不已經結束的。霍爾滯后現象測式程序應該保證 一千到至幾W點的多性能值智能切回檢測，程序由Precise S國產源表，2700 向量啟閉和霍爾滯后現象測式應用 Cyclestar 等組成部分。可在不一樣的電交變電場、溫濕度和功率下依據測式的結果求算出熱敏電阻率、霍爾彈性系數、載流子有機廢氣濃度和霍爾挪動率，并設計數據圖表圖。

二、情況報告特征

       1、標準的裝置可確定在不一樣磁場強度和不一樣電壓經濟條件下的霍爾相互作用和熱敏電阻的自動測量；

       2、檢驗和求算時由游戲半自動繼續執行，就可以表現信息和弧線；

       3、確定變溫選件，能能開展不一環境溫度生活條件下的霍爾反應和電阻器的自動測量；

       4、電阻值精確精度等級內：0.1mW—50MW。

三、檢查的材料

       1、半導物料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體物料等；

       2、高電阻值素材：半絕緣性的 GaAs, GaN, CdTe 等；

       3、低特性阻抗建筑建筑相關材料：復合、透亮鐵的氧化物物、弱磁鐵光電器件建筑建筑相關材料、TMR 建筑建筑相關材料等。

四、系統關鍵技術

       霍爾相互作用測評操作系統注意是對霍爾電子器件的 I-V 測定，再基于另外的有關于規格來計算方法出分屬的值。

       電容率：范德堡法側量電容率需要貫穿土樣開始 8 次側量。 電級材料 1、2 加交流電電級材料 4、3 測輸出功率值，和電級材料 2、3 加交流電電級材料 1、4 測輸出功率值，到的電容率又叫做 ρA；反駁來電級材料 3、4 加交流電電級材料 2、1 測輸出功率值，和電級材料 4、1 加交流電電級材料 3、2 測輸出功率值，到的電容率又叫做 ρB。假若土樣不均， ρA 和 ρB 很相似，求它們的的均勻值 即能到土樣的電容率 ρav =( ρA + ρB ) / 2。

 五、系統組成

六、系統化配備

       源表：2臺雙路通道SMU；

       相連電腦連到線：237-ALG-2，Triax轉鄂魚夾相連電腦連到線。

七、能力簡單介紹

       1、可實行霍爾反應、I-V 特質、R-T 特質和 R-M 特質的預估；

       2、可要出性能指標： 方塊電容、 電容率、 霍爾因子、 霍爾變更率、 載流子溶液濃度和導電結構類型；

       3、 R-T 性能特點—穩定電磁波，電阻功率隨高溫而變化的性能特點線條；

       4、R-M 性質—規定溫度，熱敏電阻隨磁場強度而波動的性質弧度；

       5、線條畫制模塊：I-V 特征—在與眾不相同磁感線和與眾不相同攝氏度狀態下的 I-V 特征線條；

       6、R-T 性能特點—一定人體磁場，電阻值隨室內溫度而轉變 的性能特點弧度；

       7、R-M 特征—固定不變室溫，內阻隨磁感線而的變化的特征折線。