如今III-V族復合型半導體行業技術材料的高速的發展與革新用軟件,對于氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和其余有些單質半導體行業技術的功能定性分析,應該應該怎樣才能像交流電測量那樣的話,快些實現了超快的I-V源和測量運作?應該應該怎樣才能能夠利用窄電磁激光和/或低占空比電磁激光,而不會交流電信息來以免配件的自熱負效應?應該應該怎樣才能考慮既須要超快工作電壓的輸出,又須要同歩高敏感度度直流電壓測量的用軟件消費需求?
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