盛夏已過，初秋開場

九月的中高溫依舊會始終不散日常生活也免不掉被忙亂的業務解除封印

油田大工作電壓(6500V/3000A)IGBT試驗難？伴近年來頂目消費需求急、每日任務重、需求高水利技術人員們有壓力山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

因SiC與Si優點的有所差異，SiC MOSFET的域值交流電阻降體現了時快時慢定性處理，在配件測試儀操作過程中域值交流電阻降就有強烈漂移，導致其電性測試儀及低溫柵偏應力試驗后的電測試儀但是非常嚴重依賴性于測試儀具體條件。為此域值交流電阻降的較準測試儀，實施能信性測試儀工藝有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通功率電阻 RDSon為影響力元件業務時導通耗費的一很重要的特點性能參數，其計算結果會隨 VGS 與T的變化而優化。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流愛護可能將工作電流電壓也許工作電流上限在SOA板塊，盡量避免電子器件損害或炸管。

檢測生活條件：800V 恒壓 10μA 限流

測試測試經濟條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）直流電流加測電線將從而提高導通電流量測精準度；? SOCKET與PIN沾染阻值、試驗引線導通阻值。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電壓電流波形圖自激振蕩；? 新線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 一般同軸纜線的等效濾波電容與DUT串連，SMU測評時回落及其動態平衡用時長；? 三同軸拖鏈電纜等效濾波電容基本上為0。

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