集成電路測試貫穿了從設計、生產到實際應用的全過程,大致分為:
- 方案步驟的方案印證軟件測試- 晶圓造成時期的藝監控錄像測試- 二極管封裝前的晶圓試驗- 封裝形式后的機器設備測試儀芯片測試應用現狀
芯片測試作為芯片設計、生產、封裝、測試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過對待測器件DUT(Device Under Test)的檢測,區別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一,常用的測試方法是FIMV(加電流測電壓)及FVMI(加端電壓測電流大小)。
傳統化的心片電性能方面檢驗英文方法需數臺儀盤表達成,如電壓降源、功率源、萬用表等,或許由數臺儀盤表組成的的軟件需差別實現java開發、同部、連到、測量和明確分析,的過程有難度的又等待的時間,又暫用不能檢驗英文方法臺的三維空間,還有實用分散化效果的儀盤表和激厲源還會出現有難度的的間接間促發運行,有更重的不確保性及很慢的串口通信傳送數據時間等一些缺陷,無非滿足需要高率檢驗英文方法的業務需求。實施芯片電性能測試的最佳工具之一是大數字源表(SMU),數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負載,支持四象限功能,可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。
此外,由于芯片的規模和種類迅速增加,很多通用型測試設備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求,但受接口容量和測試軟件運行模式的限制,無法同時對多個被測器件(DUT)進行測試,因此規模化的測試效率極低。特別是在生產和老化測試時,往往要求在同一時間內完成對多個DUT的測試,或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務。
基于普賽斯CS系列多通道插卡式數字源表搭建的測試平臺,可進行多路供電及電參數的并行測試,高效、精確地對芯片進行電性能測試和測試數據的自動化處理。主機采用10插卡/3插卡結構,背板總線帶寬高達 3Gbps,支持 16 路觸發總線,滿足多卡設備高速率通信需求;匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,具有通道密度高、同步觸發功能強、多設備組合效率高等特點,最高可擴展至40通道。
圖1:普賽斯CS類別插卡式源表
(10插卡及3插卡,高至40入口通道)
基于數字源表SMU的芯片測試方案
選用普賽斯大數字源表對其進行處理芯片的開擊穿公測(Open/Short Test)、漏電流公測(Leakage Test)甚至DC參數設置公測(DC Parameters Test)。1、開短路測試(O/S測試)
開不導通測式(Open-Short Test,也稱間隔性或接觸測式),用以認可測式裝置與集成電源電路芯片各個引腳的電接觸性,測式的整個過程是外借對地守護肖特基二極管對其進行的,測式銜接電源電路以下幾點提示:圖2:開串電公測層面接構造
2、漏電流測試
漏電流試驗方法,別稱為Leakage Test,漏電流試驗方法的重要性主耍是驗測打出Pin腳相應高阻的情形下的打出Pin腳的阻抗匹配會不會夠高,試驗方法相連電路設計如下如圖是如圖是:圖3:漏電流測式高壓線路接觸表示
3、DC參數測試
DC性能規格的測評,基本上基本都是Force直流電壓值測評工作額定電壓也許Force工作額定電壓測評直流電壓值,其重要是測評特性阻抗性。基本上一些DC性能規格都可以在Datasheet邊標出來,測評的其重要意圖是確保安全處理器的DC性能規格值非常符合規管理范:圖4:DC叁數檢查輸電線路相連接展示
測試案例
測試圖片平臺增加
Case 01 NCP1377B 開短路測試
檢測 PIN 腳與 GND 間聯接情形,檢測過程中 中SMU挑選3V示值,施加壓力-100μA的的電壓,限壓-3V,檢測的的電壓數據顯示表 1 如圖所示,的的電壓數據顯示在-1.5~-0.2 間,檢測數據顯示 PASS。*測量方式聯接定義圖2
圖5:NCP1377B開虛接測評報告單
Case 02 TLP521 光電耦合器直流參數測試
光電產品藕合器基本由幾部組群成:光的導彈點端及光的收到端。光的導彈點端基本由會發光場效應管包括,場效應管的管腳為光耦的輸人端。光的收到端基本是光敏晶胞管, 光敏晶胞管是利用 PN 結在施加壓力逆向相電壓時,在光線問題直曬下逆向電阻值由大變小的原里來工作中的,晶胞管的管腳為光耦的輸出電壓端。 應用案例利用多臺SMU進行檢查,整臺SMU與器材手機鍵入端進行接入,當作恒流源安裝驅動會亮電感并預估手機鍵入端重要性性能指標,另整臺SMU與器材傷害端進行接入,當作恒壓源并預估傷害端重要性性能指標。*考試高壓線路連入按照圖4
圖6:BVECO 測試圖片數據報告及申請這類卡種曲線提額
圖7:ICEO檢查數據文件及的身材曲線
圖8:顯示特征參數線性
圖9:打出因素斜率