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潛心于半導電耐熱性各種測試

普賽斯儀表攜國產化高精度數字源表等半導體電性能測試設備亮相2023慕尼黑上海電子展

來自:admin 時間:2023-07-11 16:59 挑選量:1508
        11月11日,2023慕尼黑重慶電子展(Electronica China)在重慶各國展覽管理中心管理中心啟幕,這屆展會上以“協同科學改革創新、智引未來的”側重于題,會聚半導體材料、無源集成控制電路芯片、智慧網聯&新能量小汽車、調節器器、相聯接器、旋轉開關、束線電纜、電源適配器、測試儀估測、印刷制版控制pcb板、電子創造服務的、先進性創造等商家,開發從物品來設計到采用洛地的橫亙領域兩邊游的靠譜展示出游戲平臺,以科學改革創新能力驅動國電子領域壯大。


        普賽斯汽車儀表盤全力于半導體元器件封裝技術設備各種測試圖片英文高防具的國內生產化,攜全款型半導體元器件封裝技術設備電安全性能各種測試圖片英文主要新產品及半導體元器件封裝技術設備研究方向從的材料、晶圓到元器件封裝各種測試圖片英文徹底解決規劃紅毯秀另行通知會展,能吸引大量工作師和相關行業男主持人遠道而來體現聯絡。


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        公測預估是一部分網上產業的發展線線質量水平掌握的合理方法,半導體材料依據生產方面不一,線線質量水平掌握劃分前道判斷工具、中道判斷工具和后道公測。前道判斷工具又被稱為為過程中施工工藝判斷工具,偏斜晶圓研制,的檢則工具光刻、刻蝕、透氣膜沉積物、清理、CMP等晶圓研制方面后物品制作加工技術指標能不能提升設計制作規定特殊要求或會存在引響良率弊病,偏斜物理上的性判斷工具;中道判斷工具偏斜品質可靠二極管封裝,以電子光學等非沾染式方法涉及重步線結構的、凸點與硅通孔等晶圓研制方面的線線質量水平掌握;后道公測通常偏斜晶圓判斷工具(CP,Circuit Probing)和產品公測(FT,Final Test),的檢則工具存儲芯片功能指標能不能復合規定特殊要求,偏斜電功能指標判斷工具。


        著眼于半導體設備的電效能檢查,普賽斯儀器義表廠房展示會了個性化生產制造的源表系例(SMU)、輸入智能造成的信號恒流源 (FIMV)、高壓電電供電線 (FIMV、FVMI)、輸入智能造成的信號恒壓源各類動態數據庫搜集卡五個類服務,包擴直流變壓器源表、輸入智能造成的信號源表、窄輸入智能造成的信號電壓源、結合插卡式源表、精準度等級的超級大電壓源、精準度等級高壓電電供電線、動態數據庫搜集卡等國產品牌化電效能檢查儀器義表,其安全穩定義、牢靠性、一直性獲得多的市面驗證通過。、


        集中第二代半導體芯片加快經濟發展下工業企業要面臨的困鏡和試煉,普賽斯儀盤表總管理師管理師兼研發部技術應用管理人王承與現場男搭檔的來進行了更深刻方面的研討。


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SiC/IGBT功率半導體器件測試

        應對SiC/IGBT集成電路芯片在測試中會出現的測不讓、測不全、最準確性及及效果低的困難,普賽斯儀表板安利的對于國廠化高準確度度數碼源表(SMU)的測試方法,具備條件選擇的測試性能、更最準確的測定數據、越高的最準確性與更進一步的測試性能。還具有高交流電壓(3500V)和大直流電壓值(6000A)形態、μΩ級導通內阻準確度測定、nA級直流電壓值測定性能等優點和缺點。扶持高電壓模式,下測定電機功率集成電路芯片結電解濾波電阻,如導入電解濾波電阻、輸出精度電解濾波電阻、反向的方式給回高速傳輸電解濾波電阻等。


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GaN功率半導體器件測試

        專門針對氮化鎵(GaN)分為砷化鎵(GaAs)等用料結構的極速元件的I-V測試,普賽斯多功能儀表新進入中國的CP全系列脈寬恒壓源會優質更快的消除測試困局。產品的具備著脈寬直流變壓器電高可至10A、脈寬長度最少可低至100ns;兼容直流變壓器、脈寬兩大類的電壓輸出的傳統模式等優點。產品的可廣泛應用于GaN的自熱效果,脈寬S規格測試等領域。

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生物學醫療儀器道路長坡厚雪,國產a代替品需要量過強。普賽斯儀器儀表將維持改革創新,迅速推向生產鏈鏈內外游合作方式互通,以良好的新產品服務方面性幫助老客戶變現生產鏈升值,共赴可維持以后!



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